МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ УСТРОЙСТВА В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ

          

сных схем. Технические характеристики АЦП


Операции
Число операций
Время выполнения опера­ций, мкс
КР580
К589
КР580
К589
Умножение
4
4
1030
39,2
Сложение
13
16
2,0
0,2
Пересылки:
память — регистр
35
7
3,5 8,0
0,2. 0,4
регистр — регистр
8
11
2,5
0,2
Прочие операции
5
2
5,5 — 8,5
0,2
БО
65
40
4430
164
Разработка специальных периферийных устройств и интерфей­ сных схем. Технические характеристики АЦП и ограниченное быстродействие микропроцессоров приводят к необходимости реа­лизации предварительной обработки радиотехнического сигнала традиционными методами, т. е. с использованием аналоговой тех­ники. На рис. 2.5 изображен МП БПФ, на входе которого вклю­чен формирователь квадратур. Входной сигнал может поступать непосредственно на АЦП, но тогда потребуется увеличить частоту дискретизации как минимум в 2 раза. Кроме того, значительно повышается требование к длительности выборки дис,кретных от-счетов. Это время должно составлять доли периода входного сиг-нала. Поэтому в данном случае формирователь квадратур является специальным периферийным устройством, использование которого позволяет снизить требования к АЦП и (МП БПФ.
сных схем. Технические характеристики АЦП

Рис. 2.14. Структурная схема устройства сопряжения РЛС с магнитным на­копителем микро-ЭВМ
Основной задачей интерфейсных схем сопряжения является ор­ганизация обмена данными между источниками, приемниками ин­формации и МП. При этом сопряжение должно осуществляться как по формату данных, так и по скорости обмена. На рис. 2.14 приве­дена структурная схема устройства сопряжения импульсной РЛС с магнитным накопителем микро-ЭВМ, обеспечивающим регистрацию в РМВ выборок из эхосигнала, следующих с частотой дис­кретизации 1 МГц в виде 8-разрядных параллельных слов [34]. Данное устройство применяется при исследовании отражательной способности поверхности земли. Для решения этой задачи требу­ется большой объем памяти запоминающего устройства.
Это мо­ жет быть обеспечено магнитным накопителем. Второй особен­ностью является высокая скорость поступления информации. По­мимо измерительной информации необходимо записывать также служебную (текущее время, координаты РЛС и т. п.).
Выравнивание скоростей информационных потоков, поступаю­щих с РЛС, служебных сигналов и скорости записи обеспечива­ется использованием буферного ЗУ (БЗУ).
Сигнал с РЛС поступает на АЦП и анализатор входного сиг­нала, который вырабатывает стробирующий импульс, запускаю­щий генератор тактовых импульсов (ГТИ1). Одновременно АЦП осуществляет дискретизацию входного сигнала по времени и квантование по уровню. Частота дискретизации 1 МГц. Разряд­ность АЦП 8 бит, шаг квантования 20 мВ. АЦП формирует часть отсчетов, число которых определяется длительностью стробирую-щего импульса тс: N=xc/TR. Этот массив записывается в ОЗУ1.
Запись служебной информации осуществляется по мере запол­нения накапливающего регистра. Входной регистр выполняет роль коммутатора; после окончания записи в ОЗУ1 сигнального мас­сива он осуществляет запись в ОЗУ 1 служебного массива по со­седним адресам. Адреса формирует регистр адреса 1. Сигналь­ный и служебный массивы составляют кадр записи. Для разде­ления кадров вводится маркер кадра. Очередной кадр информа­ции записывается в соседние ячейки памяти.
После того как будет полностью заполнен модуль ОЗУ1, ем­кость которого около 2К байт, устройство управления (УУ) пе­реключает режимы работы модулей: ОЗУ1 на считывание, ОЗУ2 иа запись.
Для формирования синхроимпульсов считывания информации используется ГТИ2, частота которого согласована с магнитным накопителем. Считываемая информация через коммутатор посту­пает на формирователь, вырабатывающий выходной код, опреде­ляемый типом магнитного накопителя.
Устройство сопряжения позволяет записывать информацию в РМВ со скоростью значительно ниже скорости поступления ин­формации с РЛС.
2.3. КОНСТРУКЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЯЧЕЕК МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ УСТРОЙСТВ


Ведущим направлением конструирования современной РЭА является комплексная микроминиатюризация (КММ). Ос­новной задачей КММ является обеспечение высокой надежности, малых масс и объемов, повышенных эксплуатационных характе­ристик РЭА. Выполнение этих требований обуславливает необходимость применения БИС и СБИС, современных и перспективных конструкций РЭА. При конструировании РЭА широко применя­ется модульный принцип, под которым понимается совокупность различных методов (функционально-модульный, модульно-ячееч-ный и т. п.), в основе которых заложено общее требование: как расчленить электрическую схему на модули (функциональные ячейки и блоки), чтобы они были как функционально, так и кон­структивно законченными. При этом их конструктивные размеры должны быть одинаковыми либо кратными одним базовым раз­мерам, т. е. унифицированными. Таким образом, если конструк­ция РЭУ представляет собой блок или моноблок с общей герме­тизацией, то конструкция встроенного в этот блок МП У представ­ляет одну или несколько функциональных ячеек (ФЯ).
Существенным ограничением применения МПУ в РЭА являет­ся реальный масштаб времени решения исходных задач. В § 2.2 показано, что выполнение этого требования возможно только при высоком быстродействии МП и других ИМС, входящих в МПУ.
Быстродействие цифровых ИМС прямо пропорционально по­требляемой мощности. Это значит, что при повышении быстродей­ствия ухудшаются тепловые режимы работы МПУ. В свою оче­редь, это может привести к изменению параметров и режимов работы комплектующих изделий относительно расчетных значе­ний и в конечном счете к увеличению отказов. Для уменьшения теплонапряженности в блоках РЭА необходимы дополнительные меры по улучшению теплопередачи. Как известно, теплота пере­дается от нагретого тела в среду путем конвекции и лучеиспус­кания. Внутри герметичного блока теплота передается, в основ­ном, за счет теплопроводности.
Мощность (Р), рассеиваемая блоком, и перегрев блока v свя­заны прямо пропорциональной зависимостью P = crv, где а — ко­эффициент пропорциональности, представляющий собой величи­ну, обратную термическому сопротивлению конструкции блока или ФЯ- Чем выше значение а блока, тем большую мощность он мо­жет рассеять при фиксированном перегреве.


Значение а при пе­ редаче теплоты теплопроводностью пропорционально площади контактируемых поверхностей и коэффициенту теплопроводности материала. Для увеличения теплопроводности ФЯ вводятся ме­таллические теплопроводящие шины, имеющие большое значение коэффициента теплопроводности. Они могут быть выполнены в виде значительных участков фольги на печатных платах, тонких металлических пластин, на которые устанавливаются бескорпус­ные микросхемы и .микросборки; металлических рамок с планка­ми и т. п.
Применение металлических рамок или оснований (28] повы­шает теплопроводность не только в ФЯ, но и в пакете ячеек, а от него -к корпусу. Кроме того, использование рамок в конструкциях ФЯ значительно увеличивает ее собственную резонансную часто­ту, тем самым повышая вибропрочность конструкции ФЯ.
сных схем. Технические характеристики АЦП

Рис. 2.15. Установка мик­росхем на тепловые шины: 1 — рама; 2 — микросхема; 3 — печатная плата; 4 — тепловая шина; 5 — контактная площадка
сных схем. Технические характеристики АЦП

Рис. 2.16. Установка микросхем на тепловые основания: а — со штырьковыми выводами; б — с планарными выводами; 1 — металличе­ское основание; 2 — микросхема; 3 — плата
Толщина тепловых шин выбира­ется в пределах 0,4 — 0,8 мм, а ме­таллических оснований 0,4 — 1,0 мм. Материал тепловых шин и основа­ний — обычно алюминий и его спла­вы. Примеры установки микросхем и микросборок на тепловые шины и металлические основания показаны на рис. 2.15 и 2.16.
Для повышения теплопроводимости между ФЯ и блоком теп­ловой контакт между ними осуществляется через металлическое основание в единой конструкции с рамой ячейки путем пайки, сварки и склеивания мест соединения. Используются также за­клепочные и винтовые соединения. При винтовых соединениях термическое сопротивление контакта уменьшается при повыше­нии класса чистоты обрабатываемых поверхностей, повышении усилия сжатия и т. п. На рис. 2.17 показана конструкция тепло­вого контакта ячейки с корпусом блока с помощью односкосного клина. Рассмотрим наиболее распространенные конструкции ФЯ (28].


сных схем. Технические характеристики АЦП

Рис. 2.17. Конструкция теплового контакта ячейки с корпусом бло­ка с помощью одно­скосного клина:
1 — печатная плата; 2 — ми­кросхема; 3 — рама; 4 — кор­пус блока; 5 — винт; 6 — клин
сных схем. Технические характеристики АЦП

Рис. 2.18. Жесткая рамочная конструкция функциональной ячейки:
1 — печатная плата; 2 — микросборка; 3 — рама; 4 — пустотелая заклепка; 5 — втулка
сных схем. Технические характеристики АЦП

Рис. 2.19. Конструкция paмы для использования в блоках с воздуховодом: 1 — П-образная металлическая пластина; 2 — воздуховод
сных схем. Технические характеристики АЦП

Рис. 2.20. Установка микросборок на металлическое основание:
1 — микросборка; 2 — проводник; 3 — ме­таллическая пластина; 4 — печатная пла­та; 5 — контактная площадка печатной платы
На рис. 2. 18 изображена жесткая рамочная конструкция ФЯ-Рамка этой ячейки выполнена совместно с теплоотводящими ши­нами. В качестве навесных компонент могут быть использованы корпусные микросхемы и микросборки. Это особенно важно, так как 30 — 50% общего числа микросхем МПУ составляют микро­схемы малой и средней степени интеграции. Функциональные уз­лы из таких микросхем целесообразно выполнять в виде микро­сборок. Особенности конструкций различных микросборок и по­рядок их расчета подробно изложены в работах [27, 28]. Микро­сборки и корпусные БИС устанавливаются на теплопроводящие шины. Выходные контактные площадки микросборок с помо­щью перемычек соединяются с контактными площадками пе­чатной платы, которая по пери­метру приклеивается к раме. Типоразмер печатной платы 170X200 мм. Электрическая коммутация ячеек осуществля­ется с помощью гибкого шлей­фа. Благодаря высокой вибро­прочности конструкций таких ФЯ они нашли применение, в основном, в самолетной аппа­ратуре.
сных схем. Технические характеристики АЦП

Рис. 2.21. Конструкция функциональной ячейки с воздуховодом:
1 — металлическое основание; 2 — микросборка; 3 — воздуховод; 4 — контактные площадки печатной платы; 5 — печатная плата
На рис. 2.19 изображена конструкция рамы, предназна­ченной для использования в ФЯ блоков герметичной книж­ной конструкции с воздухово­дом.


Печатная плата устанав­ ливается между стенками рамы. Контактирование между печатной платой и микросборками, устанавливаемыми на раме, осуществля­ется перемычками через прорези в раме (рис. 2.20). Обычно рамы выполняются из алюминиевых сплавов. Воздуховод крепится к ме­таллическому основанию с помощью сварки и имеет приливы для крепления ячеек в блоке. Конструкция ФЯ с воздуховодом пока­зана на рис. 2.21. Печатная плата ячейки крепится к раме пусто­телыми заклепками. Микрооборки приклеиваются к раме с двух сторон. Электрическая коммутация ячеек осуществляется с по­мощью гибкого шлейфа.
При конструировании ФЯ важным этапом является выбор ти­поразмера печатных плат. Для решения этой задачи применяется нормативно-техническая документация. Выбор необходимого типоразмера печатных плат зависит от вида аппаратуры, кон­струкции ячеек, условий эксплуатации аппаратуры. В [28] ре­комендуют применять печатные платы размерами 170X75 и 170X200 мм.
Ниже будут показаны перспективные направления конструи­рования путем сокращения размеров элементов СБИС, а также площади ФЯ и заменой печатных плат микросборками, состоя­щими из бескорпусных СБИС и подложек. Это направление кон­струирования позволяет снизить потребляемую мощность и по­высить быстродействие.
2.4. КОМПОНОВКА И РАСЧЕТ КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЯЧЕЕК МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ УСТРОЙСТВ
Особенностью конструкций МПУ является использование ИМС различной степени интеграции. Наряду с СБИС, насчиты­вающими десятки и сотни тысяч транзисторов, используются микросхемы малой и средней степени интеграции: логические элементы, триггеры и т. п. Это приводит к ухудшению качества компоновки МПУ и увеличению ко­эффициента дезинтеграции. Для улучшения качества компоновки МПУ целесообразно наряду с корпу-сированными МП БИС использо­вать микросборки, объединяющие на одной диэлектрической подложке бескорпусные микросхемы малой и средней степени интеграции. Рас­смотрим алгоритмы расчета основ­ных конструктивных параметров микросборок и ФЯ.


В основу алго­ ритмов положены методы расчета, изложенные в [28]. Задача расчета конструктивных параметров микро­сборок ставится следующим обра­зом: зная число и конструктивные параметры бескорпусных микросхем (кристаллов), определить минимальный типоразмер и число слоев разводки микрооборок.
сных схем. Технические характеристики АЦП

Рис. 2.22. Посадочное место кри­сталла
Для решения этой задачи рассмотрим посадочное место кристал­ла (рис. 2.22). Оно ограничено контуром, проведенным по внеш­ним сторонам контактных площадок. Обычно минимальные раз­меры посадочного места кристалла определяются по формулам: b1 = bKр+2(a + c); l1=lKP + 2(a + c), где l1, b1 — минимальные раз­меры посадочного места кристалла; bKP, Up — размеры кристал­ла; а — сторона контактной площадки; d1 — -минимальное рас­стояние между двумя контактными площадками; с — минималь­ное расстояние от края контактной площадки до юрая кристалла. Значения параметров а, с зависят от технологии изготовле­ния микрооборки и приведены в [27].
Алгоритм расчета конструктивных параметров микросборки: 1. Определяем минимальные шаги установки кристаллов по вертикали и горизонтали:
сных схем. Технические характеристики АЦП

где а1 — минимально допустимое расстояние между внешними краями контактных площадок соседних кристаллов.
2. Поскольку в микросборках, устанавливаемых на тепловые шины, для размещения выходных контактных площадок исполь­зуются только две противоположные стороны, соотношение двух соседних сторон микросборки целесообразно принять равным 2 : 3 или 4: 5. С учетом этого число рядов и столбцов кристаллов на микросборке можно определять по формулам
сных схем. Технические характеристики АЦП

где Шу, тх — число рядов и столбцов кристаллов, соответствен­но; JVKp — общее число кристаллов, расположенных на микро­сборке; [а] — -целая часть числа а.
3. Находим число контактных площадок, которое можно рас­положить вокруг кристалла (рис. 2.22):
сных схем. Технические характеристики АЦП

число неиспользуемых контактных (площадок х + у= (Мкм — Мкр)/2, где Мкр — число выводов кристалла; х, у — число неиспользуемых контактных площадок вдоль большей и меньшей сторон кристал­ла соответственно.


4. С учетом неиспользуемых контактных площадок определя­ем размеры зоны проводников:
сных схем. Технические характеристики АЦП

5. Исходя из приведенных выше уравнений и предполагая, что Расстояние между соседними линиями, сгруппированными в го-
ризентальные шины, равно расстоянию между линиями в верти­кальных шинах, определяем х и у:
сных схем. Технические характеристики АЦП

где М1л, М2л — число вертикальных и горизонтальных шин со­ответственно. Наиболее распространенной в конструкциях цифро­вых микросборок и ФЯ является двухслойная разводка соедини­тельных проводников в областях подложки, свободных от кон­тактных площадок. При такой разводке проводники в одном слое проходят, в основном, вертикально; в другом — горизонтально. Число перекрестий тем меньше, чем меньше отношение чис­ла проводников одного слоя к числу проводников другого слоя. В [28] показано, что число вертикальных и горизонтальных ли­ний определяется по формулам
сных схем. Технические характеристики АЦП

6. Определяем число слоев соединительных проводников:
сных схем. Технические характеристики АЦП

Соединительные проводники могут быть разведены в двух сло­ях, если целочисленная часть приведенной формулы равна еди­нице, т. е. знаменатель больше числителя:
сных схем. Технические характеристики АЦП

Подставив в данное неравенство выражения, приведенные в п. 5.3, получим следующее условие двухслойной разводки:
сных схем. Технические характеристики АЦП

где К1 — среднее значение коэффициента объединения по входу, увеличенное на 1.
Чтобы приведенное выше выражение имело физический смысл, необходимо выполнение неравенства
сных схем. Технические характеристики АЦП

Если это неравенство не выполняется, то переходим к п. 10. 7. Находим максимально возможное число рядов и столбцов:
сных схем. Технические характеристики АЦП

где d — технологическая зона додложки микрооборки.
8. Максимальное число кристаллов, располагающихся на под­ложке, NKP.KaKC = mxmy.
9. Число микросборок типоразмера bxl, необходимое для раз­мещения заданного числа кристаллов NKp, равно
сных схем. Технические характеристики АЦП

10. Находим размеры дополнительной площади микросборки, необходимой для расположения проводников вне посадочных мест кристаллов:
сных схем. Технические характеристики АЦП

где b2, k — размеры суммарных свободных зон под кристаллами вдоль меньшей и большей стороны соответственно:


сных схем. Технические характеристики АЦП

11. Определяем длину и ширину подложки:
сных схем. Технические характеристики АЦП

Выбираем стандартный типоразмер подложки и, используя выражения, приведенные в пп. 8, 9, определяем Ммс5.
12. При использовании кристаллов с шариковыми выводами размеры подложки определяются следующим образом:
сных схем. Технические характеристики АЦП

13. Определяем высоту микросборки: h=hn+hK + hKP, где hn, ;hK, hKp — толщина подложки, клея и высота кристалла соответ­ственно.
При определении размеров микросборки предполагалось, что лспользуются кристаллы одного типоразмера. В случае исполь­зования кристаллов различных типоразмеров стандартным счи­тается кристалл, которого в изделии больше всего. Кроме того, считается, что посадочные размеры меньших кристаллов равны соответствующим размерам стандартного кристалла. Наличие кристаллов больших размеров учитывается как некоторое допол­нительное число Ni стандартных кристаллов, причем N:i = — ([b11/b1] +l)/([l11/l1] + 1), где b11, l11 — размеры посадочного места кристалла больше стандартного.
При герметизации микросборок в индивидуальном (корпусе полученные значения являются исходными для выбора типа кор­пуса. Далее посадочные размеры корректируются с учетом шага выводов корпуса и теплового режима.
Методики выбора типа корпуса и расчета теплового режима внутри его приведены в ,[27]. Если предусмотрена общая герме­тизация блока, использование индивидуальных корпусов микро-сборок не обязательно.
Рассчитанные по приведенному выше алгоритму размеры мик­росборок являются исходными данными для расчета конструктив­ных параметров МПУ.
сных схем. Технические характеристики АЦП

Рис. 2.23. Основные зоны и размеры печатной платы ФЯ:
Lп, Bп — длина и ширина печатной платы; Lu 61 — длина и ширина зоны ус­тановки микросхем; хи х2, у1, y2 — краевые поля; U, Ьо — установочные разме­ры микросхем; Ly, by — шаг установки микросхем; S1, s2, ss, s4 — зоны краевых полей
Алгоритм расчета конструктивных параметров ФЯ.
1. Определяем минимальное число микросборок и БИС МП, смонтированных на печатной плате. Габаритные размеры корпу­са являются определяющими для выбора типоразмера печатных плат ФЯ.


Основные зоны и размеры печатной платы ФЯ показаны на рис. 2.23. По периметру печатной платы ФЯ находятся крае­вые поля, на которых недопустима установка компонентов или прокладка проводников. Часть печатной платы без краевых полей образует контактное поле, на котором располагаются микросбор­ки и микросхемы. На печатной плате можно расположить пу ря­дов и пх столбцов микросхем:
nу = [(Вв-У1-у2)/by] + 1; (2.5)
nx = [(Ln-x1-x2)/Ly]+1. (2.6)
Число БИС МП и микросборок, смонтированных на печатной
плате с размерами ЬПХВВ, равно NMCl = nxnynyCT, где луст=1 для
штырьковых выводов и 1, 2 для пленарных.
2. Находим максимально допустимую длину общего участка проводников из условия обеспечения помехоустойчивости. В ус­ловиях высокой плотности размещения БИС МП и микросборок на печатной плате между сигнальными проводниками возникают емкостная и индуктивная паразитная связь. Возникающие пара­зитные связи обуславливают наводку в соседних проводниках по­мех, которые могут вызвать ложное срабатывание микросхем. Во избежание этого необходимо, чтобы уровень помехи не превышал
допустимого предела. В [27] приведены выражения для опреде­ления допустимой длины двух соседних .проводников:
сных схем. Технические характеристики АЦП
     — при емкостной связи;
сных схем. Технические характеристики АЦП
  - при индук­тивной связи,
где 1с и 1М — допустимые длины общего участка проводников при емкостной и взаимно индуктивной связи; Тф — длительность фронта импульса источника помехи; kПОМ — коэффициент помехо­устойчивости; ег — относительная диэлектрическая проницаемость среды; I — величина импульса тока, протекающего по цепи-источ­нику помех; а, Ъ, d — ширина двух соседних проводников и рас­стояние между ними; RВЫХ — выходное сопротивление (микро­схемы.
В реальных условиях в цепи присутствуют емкостная и ин­дуктивная составляющие помехи. Полагая, что амплитуда поме­хи пропорциональна длине проводника, определим допустимую длину общего участка двух сигнальных проводников по формуле lдоп = lclм/(lс + lм)
Допустимую длину трех параллельно расположенных провод­ников при одновременном переключении микросхем в двух актив­ных цепях рекомендуется определять по формуле [28]: l'доп = = 0,5 lдоп.


3. Принимаем, что максимальная длина соединительных про­водников не превышает (0,7 — 0,8) b в первом слое и (0,7 — 0,8) l во втором. Если максимальная длина проводников превышает lдоп, то уменьшаем число столбцов пх на один. Увеличиваем рас­стояние d между проводниками и повторяем выполнение п. 2.
4. Определяем число печатных плат типоразмера LuxBn, не­обходимых для размещения всех микросхем МПУ (Nмс):
Mu.n = (NMC/NMC1)+1.
5. Выбираем конструкцию ФЯ и определяем ее высоту [27]. Функциональные ячейки МПУ объединяются с ФЯ других узлов РЭУ и располагаются в герметичном блоке. При конструирова­нии РЭА используются различные компоновки блоков. Компо­новка и расчет конструктивных параметров блоков РЭА третьего и четвертого поколений рассмотрены в [27, 28].
2.5. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МЕТОДЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЯЧЕЕК МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ УСТРОЙСТВ
Повышение сложности задач, решаемых МПУ в составе Радиотехнических систем, приводит к необходимости постоянного соверщенствования и методов их конструирования. Применение этих методов в практике (конструирования должно обеспечить по­вышение быстродействия и надежности, снижение потребляемой мощности и площади внутренних соединений как самих МП, БИС, так и устройств, выполненных на их основе. Среди перспек­тивных конструкций следует отметить разработку МПУ на мно гослойных подложках, выполненных по тонко- или толстопленочной технологии, а также изготовление на одной пластине кремния иле другого полупроводника нескоммутированных БИС. Такие кон­струкции в зарубежной литературе получили название «интегра-ция на целой пластине» (ИЦП).
Сравнительные параметры в относительных единицах некото­рых перспективных конструкций приведены в табл. 2.3 ,[35].
Анализ данных табл. 2.3 показывает, что по критериям, при­веденным в ней, наиболее перспективными конструкциями явля­ются гибридные тонкопленочные многослойные схемы на различ­ных подложках с двусторонними монтажом и ИЦП, причем под­ложки обеспечивают плотность жомпоновки на 25 — 30% выше чем ИЦП.


С точки зрения задержки на БИС обе конструкции приблизительно равноценны. Так, если они имеют около 450 вы­ходных буферных каскадов на одну БИС, то задержка равнг 11,8 не для ИЦП и 10,5 не для многослойных тонкопленочны? подложек с двусторонним монтажом [35].
Практическая реализация перспективных конструкций МПУ неотделима от решения задач повышения быстродействия МП БИС при существенном снижении их потребляемой мощности и сокращении площадей БИС и монтажных плат, занимаемых со­единениями.
Рассмотрим некоторые методы, направленные на существен­ное повышение быстродействия и снижение потребляемой мощно сти в БИС, ФЯ и МПУ за счет уменьшения геометрических раз меров и площадей переходов транзисторных элементов, сокра щения длины и сечения соединений как внутри кристалла, так к в ФЯ и МПУ. Эти методы известны под понятием микроминиа тюризации, которая рассматривается прежде всего ,как один ж основных путей повышения быстродействия цифровых устройств,

Содержание раздела