Справочник - Материнские платы и процессоры



Старые песни о главном - часть 8


Перед окончательным изготовлением микросхемы слой SiGe был удален. Напряженное состояние слоя кремния сохранялось после выполнения циклов переноса слоев и термической обработки. Увеличение подвижности электронов и "дырок" подтверждено при помощи тестирования MOSFET-транзисторов (полевые МОП-транзисторы), изготовленных по технологии SSDOI. Кроме того, были продемонстрированы полевые транзисторы, изготовленные по технологии SSDOI, размер которых менее 60 нм.

По мнению представителей компании, новая технология позволит добиться 80%-ного снижения энергопотребления или 4-кратного прироста быстродействия в сравнении с наиболее передовыми существующими решениями. Кроме того, новая разработка может способствовать значительному прогрессу в такой сфере, как полупроводниковые компоненты для мобильных устройств. К примеру, она способна обеспечить реализацию функций обработки потокового видео в сотовых телефонах. Промышленное внедрение новой технологии IBM начнется, как предполагают, через пять лет.

Помимо этого в IBM Research впервые получены транзисторы для КМОП-устройств, в которых применяется гибридная подложка с разной ориентацией кристалла (hybrid-orientation Technology) - это, опять же, обеспечивает увеличение производительности на 40-65% (при уровне детализации 90 нм).

Вообще идея постепенной модернизации существующих технологий производства микросхем является наиболее популярной - похоже, что разработчики просто боятся революций. Но изменений не избежать так или иначе и, если говорить о транзисторах, работающих в режиме простого ключа, есть все основания полагать, что в скором времени они будут вытеснены с арены полупроводниковых технологий. Их место могут занять туннельные диоды. Последние были еще изобретены в 1950-х годах, но по сей день практически не применяются из-за сложности интеграции в привычные микросхемы. Ранее казалось, будто эти трудности обусловлены тем, что эффект туннелирования может быть инициирован лишь в случае использования активных зон с одним уровнем потенциального барьера, то есть на границе контакта двух полупроводников (как правило, редких).


Содержание  Назад  Вперед