Хотя до внедрения данной технологии, очевидно, должно пройти немало времени, разработкой российских ученых заинтересовалась компания IQE, представители которой убеждены: технология позволит обрабатывать до 36-38 пластин в час, что почти не уступает литографическому методу.
Пожалуй, наиболее интересные результаты исследований на IEDM'2003 представило IBM Research, подразделение компании IBM. Его сотрудники рассказали о разработанной ими технологии получения наноструктур, использующей механизм молекулярной самосборки, "совместимой" с традиционными методами изготовления полупроводниковых компонентов. Ученым IBM удалось получить нанокристаллический массив из полимерных молекул, который, по их заявлению, может служить основой, например, для обычной флэш-памяти. В эксперименте применялись стандартные 200-миллиметровые кремниевые заготовки. По мнению компании, новая разработка позволит существенно упростить изготовление полупроводниковых устройств. Как полагают в IBM, пилотное промышленное внедрение технологии наноструктурной самосборки может начаться уже через три-пять лет.
Впрочем, это не единственное громкое достижение компании IBM в ушедшем году - можно вспомнить еще как минимум две передовых разработки в области полупроводников. Необходимо отдать должное специалистам IBM - все они заслуживают пристального внимания. Для начала стоит упомянуть о создании первого транзистора, в котором используется напряженный кремний, размещенный непосредственно на изоляторе (strained silicon directly on insulator - SSDOI) - это, по их утверждению, позволяет добиться повышения быстродействия с одновременным устранением проблем, связанных с массовым производством.
Структура SSDOI создана при помощи переноса напряженного кремния, выращенного посредством эпитаксиального метода (слой за слоем) на ненапряженном SiGe, на слой оксида (кремния).