Справочник - Материнские платы и процессоры




Старые песни о главном - часть 7


Напомним, рекорд классической литографической технологии в настоящее время принадлежит компании IBM и составляет 6 нм для длины затвора транзистора и толщины кремниевого канала 4-8 нм. Оказывается, в полупроводнике с периодически меняющейся концентрацией примесей электроны способны двигаться значительно быстрее. Новая технология недорога, легко встраивается в обычный процесс полупроводникового производства и, как рассчитывают ее создатели, сможет составить конкуренцию напряженному кремнию.

Хотя до внедрения данной технологии, очевидно, должно пройти немало времени, разработкой российских ученых заинтересовалась компания IQE, представители которой убеждены: технология позволит обрабатывать до 36-38 пластин в час, что почти не уступает литографическому методу.

Пожалуй, наиболее интересные результаты исследований на IEDM'2003 представило IBM Research, подразделение компании IBM. Его сотрудники рассказали о разработанной ими технологии получения наноструктур, использующей механизм молекулярной самосборки, "совместимой" с традиционными методами изготовления полупроводниковых компонентов. Ученым IBM удалось получить нанокристаллический массив из полимерных молекул, который, по их заявлению, может служить основой, например, для обычной флэш-памяти. В эксперименте применялись стандартные 200-миллиметровые кремниевые заготовки. По мнению компании, новая разработка позволит существенно упростить изготовление полупроводниковых устройств. Как полагают в IBM, пилотное промышленное внедрение технологии наноструктурной самосборки может начаться уже через три-пять лет.

Впрочем, это не единственное громкое достижение компании IBM в ушедшем году - можно вспомнить еще как минимум две передовых разработки в области полупроводников. Необходимо отдать должное специалистам IBM - все они заслуживают пристального внимания. Для начала стоит упомянуть о создании первого транзистора, в котором используется напряженный кремний, размещенный непосредственно на изоляторе (strained silicon directly on insulator - SSDOI) - это, по их утверждению, позволяет добиться повышения быстродействия с одновременным устранением проблем, связанных с массовым производством.

Структура SSDOI создана при помощи переноса напряженного кремния, выращенного посредством эпитаксиального метода (слой за слоем) на ненапряженном SiGe, на слой оксида (кремния).


Содержание  Назад  Вперед