Справочник - Материнские платы и процессоры



Старые песни о главном - часть 6


Этот эффект исследователи объяснили тем, что "упругое" напряжение, созданное в полупроводнике внешней структурой, которой он обязан своим названием (напряженный кремний) компенсируется напряжением, созданным изоляторами STI (shallow trench isolations), чье влияние становится значимым при уменьшении длины истока и стока.

Именно поэтому Toshiba была вынуждена использовать метод напряженного кремния и, не называя точные детали модификаций, сообщила на IEDM'2003 о достижении рекордного показателя тока на уровне 380 мкА/мкм (19%-ное улучшение подвижности носителей по сравнению с обычной технологией) для 2-мкм каналов и 390 мкА/мкм (11%-ное улучшение подвижности носителей по сравнению с обычной технологией) для 240-нм каналов. В Toshiba надеются, что подобный подход поможет улучшить характеристики и следующего поколения полупроводниковых чипов, выпускаемых с соблюдением 45-нм норм.

Весьма интересных результатов добились специалисты Института микроэлектроники и информатики Российской академии наук, совместно с британской компанией Sceptre Electronic разработавшие новую архитектуру транзисторов, которая позволяет значительно увеличить их производительность без применения технологии напряженного кремния и дальнейшей миниатюризации. Суть новинки в добавлении примесей с периодически меняющейся концентрацией, благодаря чему значительно повышается подвижность носителей заряда.

Российские ученые и их английские коллеги, вместо обычного добавления в кремний атомов примесей равномерно по длине каждой из областей транзистора, решили вносить примесь так, чтобы ее концентрация периодически (с шагом 20-100 нм) изменялась. Для этого была разработана оригинальная модификация ионной камеры, в которой бомбардируемая кремниевыми ионами примесь формирует волнообразную структуру на мишени таким образом, будто бы их пропустили сквозь наномаску. По словам авторов изобретения, данная молекулярная самоорганизация ионов позволяет формировать периодические структуры с малодоступным для современной литографии шагом всего 8 нм.


Содержание  Назад  Вперед