Справочник - Материнские платы и процессоры


           

Наличие таких дефектов позволяет электронам


Наличие таких дефектов позволяет электронам быстрее перемещаться по каналу, повышая быстродействие транзистора. Таким образом, технология напряженного кремния компании AMD основана на использовании дефектов кристаллической решетки, которые и применяются для ускорения движения электронов. Сочетание вышеперечисленных технологий позволяет значительно улучшить характеристики транзистора: увеличить ток в открытом состоянии и уменьшить - в закрытом; повысить скорость переключения транзистора и, в конечном итоге, увеличить производительность всей интегральной схемы. В AMD подчеркивают, что по своим характеристикам новая технология превосходит требования Международного плана развития полупроводниковых технологий на 2009 год. Однако в компании полагают, что производство схем на базе новой технологии можно будет развернуть уже в 2007-м. Весьма любопытные результаты в области внедрения техпроцесса с уровнем детализации 45 нм достигнуты Toshiba. На IEDM'2003 японская компания опубликовала данные о результатах тестирования PMOSFET-транзисторов и раскрыла принципы собственного виденья технологии создания напряженного кремния. По данным Toshiba, прирост тока возбуждения в PMOSFET на напряженном кремнии убывает пропорционально уменьшению длины стока, для чего пришлось придумывать достаточно оригинальную технологию изготовления транзисторов, чтобы продолжать получать пользу от напряженного кремния при уменьшении размеров. Речь идет о том, как максимизировать прирост тока возбуждения в NMOSFET- и PMOSFET-транзисторах, чтобы работоспособность КМОП-устройств оставалась на высоком уровне при малом размере. Для исследования свойств были изготовлены CMOSFET-транзисторы с длиной затвора около 40 нм на основе кремний-германиевой технологии (SiGe) с нормами 65 нм. Было также изготовлено устройство на основе обычного, не напряженного кремния. По экспериментальным данным, подвижность носителей положительного разряда в напряженном кремнии повысилась на 33%, электронов - на 107%. Однако при уменьшении длины стока и истока эта разница уменьшалась и достигала примерно 10% при 2 мкм, а при 240 нм в подвижности носителей между напряженным и обычным полупроводником уже не наблюдалось никакой разницы.

Содержание  Назад  Вперед