Справочник - Материнские платы и процессоры



Старые песни о главном - часть 5


Наличие таких дефектов позволяет электронам быстрее перемещаться по каналу, повышая быстродействие транзистора. Таким образом, технология напряженного кремния компании AMD основана на использовании дефектов кристаллической решетки, которые и применяются для ускорения движения электронов.

Сочетание вышеперечисленных технологий позволяет значительно улучшить характеристики транзистора: увеличить ток в открытом состоянии и уменьшить - в закрытом; повысить скорость переключения транзистора и, в конечном итоге, увеличить производительность всей интегральной схемы. В AMD подчеркивают, что по своим характеристикам новая технология превосходит требования Международного плана развития полупроводниковых технологий на 2009 год. Однако в компании полагают, что производство схем на базе новой технологии можно будет развернуть уже в 2007-м.

Весьма любопытные результаты в области внедрения техпроцесса с уровнем детализации 45 нм достигнуты Toshiba. На IEDM'2003 японская компания опубликовала данные о результатах тестирования PMOSFET-транзисторов и раскрыла принципы собственного виденья технологии создания напряженного кремния. По данным Toshiba, прирост тока возбуждения в PMOSFET на напряженном кремнии убывает пропорционально уменьшению длины стока, для чего пришлось придумывать достаточно оригинальную технологию изготовления транзисторов, чтобы продолжать получать пользу от напряженного кремния при уменьшении размеров. Речь идет о том, как максимизировать прирост тока возбуждения в NMOSFET- и PMOSFET-транзисторах, чтобы работоспособность КМОП-устройств оставалась на высоком уровне при малом размере. Для исследования свойств были изготовлены CMOSFET-транзисторы с длиной затвора около 40 нм на основе кремний-германиевой технологии (SiGe) с нормами 65 нм. Было также изготовлено устройство на основе обычного, не напряженного кремния. По экспериментальным данным, подвижность носителей положительного разряда в напряженном кремнии повысилась на 33%, электронов - на 107%. Однако при уменьшении длины стока и истока эта разница уменьшалась и достигала примерно 10% при 2 мкм, а при 240 нм в подвижности носителей между напряженным и обычным полупроводником уже не наблюдалось никакой разницы.


Содержание  Назад  Вперед