Справочник - Материнские платы и процессоры



Старые песни о главном - часть 4


Так вот, в NMOS-устройствах поверх транзистора в направлении движения электрического тока наносится слой нитрида кремния (Si3N4), в результате чего кремниевая кристаллическая решетка "растягивается". В PMOS-устройствах "растяжение" достигается за счет нанесения слоя SiGe в зоне образования переносчиков тока - здесь решетка "сжимается" в направлении движения электрического тока, и потому "дырочный" ток течет свободнее. В обоих случаях прохождение тока значительно облегчается: в первом случае - на 10%, во втором - на 25%. Сочетание же обеих технологий дает 20-30%-ное ускорение протекания тока.

Не менее интересна идея перехода к 45-нм технологическому процессу, предложенная компанией AMD. В Токио, на конференции по твердотельным устройствам и материалам (SDDM'2003), AMD продемонстрировала собственные методы борьбы с токами утечки. Ранее в AMD уже сообщали о создании двухзатворного транзистора, а около года назад компания Intel продемонстрировала транзистор с тремя затворами. Теперь свою версию трехзатворного транзистора представили и в AMD. В новой разработке компании объединены сразу несколько перспективных технологий. Во-первых, для создания токопроводящего канала транзистора используется технология полностью обедненного кремния на изоляторе (Fully Depleted SOI - FDSOI). Во-вторых, новые транзисторы будут использовать металлические затворы (изготовленные из силицида никеля, вместо поликристаллического кремния) и иметь "локально напряженный" канал. Такой канал с трех сторон окружен затворами, выполненными из силицида никеля (NiSi). Этот металлосодержащий материал обеспечивает лучшие характеристики по сравнению с традиционным кремнием. Отмечается также, что подобный подход сам по себе обеспечивает более чем двукратное увеличение быстродействия. Стоит сказать, что особенностью SOI-технологий AMD является малая диэлектрическая проницаемость изолирующих пленок, в то время как многие производители работают с пленками с высокой диэлектрической проницаемостью.

Использование силицида никеля для создания затворов приводит к возникновению дефектов в кристаллической решетке кремния в токопроводящем канале.


Содержание  Назад  Вперед