Справочник - Материнские платы и процессоры
DDR2 — еще одна перспектива
DDR2 SDRAM — новый стандарт памяти, пришедший на смену DDR SDRAM. В нем используется все та же технология DDR (Double Data Rate) — передача данных по фронту и спаду синхросигнала, за счет чего скорость передачи данных вдвое больше частоты.
Основная особенность DDR2 — возможность выборки четырех блоков данных за такт по правилу "4n prefetch", в то время как в DDR использовалось правило "2n prefetch" (два блока данных за такт). Если у DDR частота ядра памяти и буферов ввода-вывода была одинаковой (например, у DDR400 она равнялась 200 МГц), то теперь у DDR2 за счет правила "4n prefetch" частота ядра памяти вдвое ниже частоты буферов ввода-вывода.
Ячейки памяти остались те же, что и у DDR, но теперь используются более быстрые буферы ввода-вывода, также увеличилась ширина шины, которая связывает эти буферы с банками памяти. Например, у DDR2-400 частота ядра памяти равна 100 МГц, а буферов ввода-вывода — 200 МГц.
Таким образом, уже сейчас виден потенциал, которым обладает новая память: используя существующие ячейки (как у DDR400), скоро можно будет получить память DDR2-800. Еще одно преимущество: чем ниже частота ядра, тем меньше процент брака готовых модулей.
Однако существует и обратная сторона медали. Сравним DDR400 и DDR2-400 — пропускная способность у них одинаковая, банки памяти работают на разных частотах (200 МГц и 100 МГц соответственно). Вот и получается, что латентность (задержка) DDR2-400 выше, чем у DDR400.
В DDR2 появилась функция внутричипового терминирования сигнала (on-die termination schemes) — резисторы, гасящие отраженные сигналы, располагаются в чипах памяти, а не на материнских платах, как раньше. Это улучшает характеристики прохождения сигналов по шине памяти.
С приходом DDR2 мы получили новый форм-фактор памяти — 240 контактов (вместо 184-х у DDR). Понизилось энергопотребление — 1,8 В (DDR — 2,5 В). Кроме того, стандарт DDR2 предусматривает максимальную емкость модулей памяти до 4 Гб (DDR — до 1 Гб).
Таким образом, DDR2 SDRAM — это новое поколение памяти, основанной на технологии DDR с пониженным энергопотреблением, повышенной пропускной способностью и улучшенным качеством сигнала.
