Справочник - Материнские платы и процессоры



             

Кремниево-ядерный реактор, Или говорим о проблеме нагрева в микросхемах - часть 7


Одна из них была использована при создании транзистора, в котором используется "напряженный кремний, размещенный непосредственно на изоляторе" (strained silicon directly on insulator, SSDOI). Это, по утверждению специалистов компании, позволяет добиться повышения быстродействия с одновременным устранением проблем, связанных с массовым производством.

Структура SSDOI создана при помощи переноса напряженного кремния, выращенного посредством эпитаксиального метода (слой за слоем) на ненапряженном SiGe, на слой оксида кремния. Перед окончательным изготовлением микросхемы слой SiGe был удален. Напряженное состояние слоя кремния было сохранено после выполнения циклов переноса слоев и термической обработки. Увеличение подвижности электронов и "дырок" было подтверждено при помощи тестирования MOSFET-транзисторов (полевые МОП-транзисторы), изготовленных по технологии SSDOI.


Технология SSDOI

По мнению представителей IBM, новая технология позволит добиться 80%-ного снижения энергопотребления или четырехкратного прироста быстродействия в сравнении с наиболее передовыми существующими решениями.

Впрочем, модернизация материалов, используемых при производстве микросхем, — не единственный путь повышения привлекательности энергетических характеристик процессоров. Например, исследователи Intel ведут разработки в области новых материалов и материалов непосредственно для самих транзисторов. Так, в феврале 2005 года инженеры Intel и британской компании QinetiQ предложили новый тип транзисторов, функционирование которых основано на эффекте "квантовой ямы", для изготовления которых служит новый материал — антимонид индия (InSb). В отличие от традиционных транзисторов (в нормальном состоянии они закрыты и при работе открываются положительным потенциалом), созданные Intel и QinetiQ в нормальном состоянии открыты и при работе запираются отрицательным потенциалом.

Согласно заявлению фирм, чипы на основе указанной технологии при том же энергопотреблении, что у нынешних микросхем, имеют трехкратное преимущество в быстродействии, или при той же производительности являются в 10 раз экономичнее.

Впрочем, к проблеме снижения энерговыделения можно подойти и с другой стороны.


Содержание  Назад  Вперед