Справочник - Материнские платы и процессоры



             

Кремниево-ядерный реактор, Или говорим о проблеме нагрева в микросхемах - часть 6


Методика "напряженного кремния"

Не менее интересна идея улучшения производительности транзисторов, а заодно и их термохарактеристик, предложенная компанией AMD. В ее основе лежат весьма интересные методы борьбы с токами утечки. В AMD уже сообщали о создании двухзатворного транзистора, но около года назад компания Intel продемонстрировала транзистор с тремя затворами. Дошла очередь до трехзатворного транзистора и в AMD. В новой разработке компании объединены несколько перспективных технологий. Во-первых, для создания токопроводящего канала транзистора используется технология "полностью обедненного кремния-на-изоляторе" (Fully Depleted SOI, FDSOI). Во-вторых, новые транзисторы будут использовать металлические затворы (изготовленные из силицида никеля (NiSi) вместо поликристаллического кремния) Ко всему прочему, транзисторы будут иметь "локально напряженный" канал:. с трех сторон он окружен затворами, выполненными из силицида никеля. Этот металлосодержащий материал обеспечивает лучшие характеристики по сравнению с традиционным кремнием. Подобный подход гарантирует более чем двукратное увеличение быстродействия. Особенностью SOI-технологий AMD является малая диэлектрическая проницаемость изолирующих пленок, в то время как Intel работает с пленками с высокой диэлектрической проницаемостью.

Использование силицида никеля для создания затворов приводит к возникновению дефектов в кристаллической решетке кремния в токопроводящем канале. Наличие их позволяет электронам быстрее перемещаться по каналу, повышая быстродействие транзистора. Таким образом, технология "напряженного кремния" компании AMD основана на использовании дефектов кристаллической решетки, которые и применяются для ускорения движения электронов.

Сочетание вышеперечисленных технологий позволяет улучшить характеристики транзистора: увеличить ток в открытом состоянии и уменьшить в закрытом; повысить скорость переключения транзистора и, в конечном итоге, повысить производительность всей интегральной схемы.

Говоря о "деформированном кремнии" нельзя не упомянуть об аналогичных технологиях полупроводникового энергосбережения компании IBM.


Содержание  Назад  Вперед