Справочник - Материнские платы и процессоры


           

Кроме того, частично бороться со


Кроме того, частично бороться со снижением подвижности носителей заряда, благодаря которой транзисторы срабатывают значительно медленнее, помогает методика "напряженного кремния" (strained silicon). На этой технологии остановимся подробнее, ведь в ближайшем будущем она должна стать базовой для полупроводникового производства, и уже сегодня активно внедряется в техпроцессы компанией Intel. Идея "напряженного кремния" предельно проста. С целью обеспечения удовлетворительного уровня прохождения носителей заряда специалисты корпорации Intel решили в буквальном смысле растянуть кристаллическую решетку транзистора, чтобы увеличить расстояние между атомами и тем самым облегчить прохождение тока. Инженеры подразделения Logic Technology Development Division разработали два независимых способа растяжения кремния для разных типов транзисторов. Напомним, что существует два типа CMOS-транзисторов (CMOS, complimentary metal oxide semiconductor — полупроводниковая технология, применяемая при изготовлении всех логических микросхем, включая микропроцессоры и чипсеты): n-типа, обладающие электронной проводимостью, и p-типа — с дырочной проводимостью. Так вот, в NMOS-устройствах поверх транзистора в направлении движения электрического тока наносится слой нитрида кремния (Si3N4), в результате чего кремниевая кристаллическая решетка растягивается. В PMOS-устройствах растяжение достигается за счет нанесения слоя SiGe в зоне образования переносчиков тока — здесь решетка сжимается в направлении движения электрического тока, поэтому "дырочный" ток течет свободнее. В первом случае прохождение тока облегчается на 10%, во втором — на 25%. Последняя интерпретация технологии "напряженного кремния" компании Intel позволила улучшить рабочий ток транзисторов на 30%, тогда как ранее оговаривались 10–20%. Причем токи утечки новых 65-нм транзисторов при том же рабочем токе уменьшены вчетверо, так что можно ожидать улучшенного показателя TDP для новых процессоров, и как следствие, уменьшения размеров охлаждающих их систем.


Содержание  Назад  Вперед