Справочник - Материнские платы и процессоры



             

Кремниево-ядерный реактор, Или говорим о проблеме нагрева в микросхемах - часть 4


В Texas Instruments заявляют, что кремниевый оксинитрид гафния (HfSiON) обеспечивает необходимый уровень тепловой и электрической совместимости со стандартным КМОП-процессом, а также гарантирует приемлемый уровень подвижности носителей заряда (примерно 90% от аналогичного показателя для диоксида кремния) и стабильность порогового напряжения. В принципе, потенциал диэлектриков на основе гафния известен давно, сложность заключалась в подборе оптимального компонентного состава соединений, на решение этой задачи и были направлены усилия Texas Instruments.

Но по истине ошеломляющие результаты в экспериментах с силикатом гафния достигнуты компанией NEC. Как утверждается представителями компании NEC, ее сотрудникам удалось достичь тока утечки в 1,4 пА для полевых транзисторов структуры p-n-p и 0,3 пА для транзисторов типа n-p-n. Опять-таки по данным NEC, такая величина тока утечки в 30 раз меньше, чем у когда-либо достигнутых в индустрии, и это позволяет надеяться, что выполненные по новой технологии микросхемы будут работать от источников питания до 10 раз дольше.

Новая технология стала основой инициативы NEC Ultimate Low Power, направленной на внедрение энергосберегающих технологий в 65-нм и 45-нм технологические процессы, а в готовые продукты названная технология будет интегрирована уже в 2006 году.

Впрочем, на фоне оптимизма относительно перспектив материалов с высоким показателем k нельзя не отметить, что их использование порождает ряд побочных проблем. Например, считается, что это может привести к снижению подвижности носителей заряда и смещению порогового напряжения. На один из возможных механизмов снижения подвижности носителей заряда, вызванного генерацией "мягких" фононов, связанных с электронами в канале проводимости, указал в прошлом году Макс Фишетти (Max Fischetti), сотрудник IBM T.J. Watson Research Center. Он предсказал также значительное снижение тока утечки при использовании его методики, эффективность которой была подтверждена компанией Intel — ее специалистам удалось снизить обнаруженное IBM рассеяние фононов использованием затвора, состоящего из слоя нитрида титана поверх оксида гафния.


Содержание  Назад  Вперед