Справочник - Материнские платы и процессоры



             

Кризис не помеха - часть 6


Сочетание вышеперечисленных технологий предоставляет возможность значительно улучшить характеристики транзистора: увеличить ток в открытом состоянии и уменьшить — в закрытом; повысить скорость переключения транзистора и в конечном итоге увеличить производительность всей интегральной схемы. В AMD подчеркивают, что по своим характеристикам новая технология превосходит требования Международного плана развития полупроводниковых технологий на 2009 год. Однако в компании полагают, что производство схем на базе новой технологии можно будет развернуть уже в 2007-м.

Упомянутый проект создания 45-нм техпроцесса не единственная новация компании Toshiba. В уходящем году ее исследователям удалось разработать технологию создания чипов, содержащих значительно большее количество слоев, чем используется сегодня. Речь идет о разработке девятислойных чипов, которые можно поместить в корпус высотой 1,4 мм. По сравнению с производимыми сегодня шестислойными чипами (а точнее — мультичиповыми компонентами) новая технология позволяет добавить еще три слоя.

Для того чтобы сделать возможным создание таких элементов, инженерам Toshiba пришлось уменьшить толщину каждого слоя (чипа) до 70 мк, что на 15 мк тоньше стандартных чипов. В качестве образца был представлен компонент, состоящий из SRAM, SDRAM, трех NOR и одного NAND-чипа вкупе с тремя промежуточными слоями. Общая емкость полученного мультичипа составила 776 Мбайт, размер - 11x14x1,4 мм, количество контактов - 225 при рабочем напряжении в 1,8 В. Для передачи данных между микросхемой и процессором используется разработанная компанией трехшинная система (быстрая шина - для SDRAM и NOR, средней скорости - для SRAM и медленная - для NAND). Ожидается, что вскоре Toshiba приступит к производству микросхем, содержащих выбранную заказчиком комбинацию различных типов памяти. В будущем данная разработка позволит создать не только более емкие, но и более функциональные устройства (в одной упаковке можно будет разместить разнофункциональную подсистему памяти).




Содержание  Назад  Вперед