Справочник - Материнские платы и процессоры



             

Кризис не помеха - часть 5


Благодаря ей удалось добиться весьма впечатляющих рабочих характеристик: в частности, плотность управляющего тока равняется 820 мкА/мк, а для PMOSFET – 300 мкА/мк (при напряжении 0,85 В). Вторая – это технология многоуровневых соединений, шаг которых равняется 130 нм (на 72% меньше, чем для полупроводниковых компонентов с уровнем детализации 65 нм).

Не менее интересна идея перехода к 45-нм технологическому процессу, предложенная компанией AMD. В ее основе лежат любопытные методы борьбы с токами утечки. Ранее в AMD уже сообщали о создании двухзатворного транзистора, а около года назад компания Intel продемонстрировала транзистор с тремя затворами. Теперь свою версию трехзатворного транзистора представила и AMD. В новой разработке компании объединено несколько перспективных технологий. Во-первых, для создания токопроводящего канала транзистора используется технология полностью обедненного кремния на изоляторе (Fully Depleted SOI). Во-вторых, новые транзисторы будут использовать металлические затворы (изготовленные из силицида никеля (NiSi), вместо поликристаллического кремния) и иметь "локально напряженный" канал. Такой канал с трех сторон окружен затворами, выполненными из силицида никеля. Этот металлосодержащий материал обеспечивает лучшие характеристики по сравнению с традиционным кремнием. Отмечается также, что подобный подход обеспечивает более чем двукратное увеличение быстродействия. Стоит сказать, что особенностью SOI-технологий AMD является малая диэлектрическая проницаемость изолирующих пленок, в то время как многие производители работают с пленками с высокой диэлектрической проницаемостью.

Использование силицида никеля для создания затворов приводит к возникновению дефектов в кристаллической решетке кремния в токопроводящем канале. Наличие таких дефектов позволяет электронам быстрее перемещаться по каналу, повышая быстродействие транзистора. Таким образом, технология напряженного кремния компании AMD основана на использовании дефектов кристаллической решетки, которые и применяются для ускорения движения электронов.




Содержание  Назад  Вперед