Справочник - Материнские платы и процессоры



             

Кризис не помеха - часть 4


Казалось бы, все перечисленные характеристики уже хорошо известны, но почти все они в той или иной степени улучшены. Например, увеличена толщина оксида под затвором — одного из главных параметров, влияющих на утечки в транзисторах. Если прежде для 65-нм техпроцесса предлагалось использовать оксид толщиной около 0,8 нм, то теперь это 1,2 нм — столько же, сколько в нынешних 90-нм процессорах Intel. За счет чего удалось не только уменьшить утечки в расчете на один транзистор (поскольку примерно вдвое уменьшилась его площадь), но и в конечном итоге повысить быстродействие, ведь балластная емкость транзисторов снизилась на 20%.

Претерпела изменения и технология напряженного кремния. В новой интерпретации она позволила улучшить рабочий ток транзисторов на 30%, тогда как ранее речь шла о 10-20%. Таким образом, утечки новых 65-нм транзисторов при том же рабочем токе уменьшены вчетверо, а значит, можно смело ожидать улучшенного показателя TDP для новых процессоров. Нельзя оставить без внимания и такое нововведение техпроцесса P1264, как спящие транзисторы, которые отключают питание отдельных блоков памяти при их бездействии. Результат их внедрения – троекратное уменьшение утечки кристалла SRAM, что само по себе является величиной весьма немалой, особенно если учесть, что кэши будущих процессоров будут существенно увеличиваться.

Не отстают от Intel и другие компании, причем некоторые из них даже пытаются идти с опережающим отрывом. Так, например, японские компании Sony и Toshiba, долгое время сотрудничающие в области разработки новых технологических процессов, с прошлого года наладили массовый выпуск чипов с применением 90-нм технологических норм. Уже в первой половине этого года увидели свет 65-нм сэмплы, а недавно Sony и Toshiba начали новый совместный проект, направленный на разработку 45-нм полупроводниковых структур. Сейчас известны две его особенности. Первая – новый высокопроизводительный MOSFET-транзистор, в затворе которого применяется сверхтонкая оксидная пленка.


Содержание  Назад  Вперед