Справочник - Материнские платы и процессоры



             

Кризис не помеха - часть 3


Объем продаж лидера этого рынка, компании TSMC, достиг уровня в $698,1 млн, что на 13% лучше показателя аналогичного периода прошлого года ($617 млн), но одновременно на 0,9% меньше $703,9 млн в сентябре. Еще ощутимее рыночный спад сказался на основном конкуренте TSMC, компании UMC. Ее доход в октябре исчисляется суммой $305,75 млн. Для сравнения: в сентябре компания заработала на 15,2% больше (!). Хотя в ежегодном исчислении здесь также отмечен значительный рост в размере 31% (в октябре 2003 года на счету UMC было лишь $233,02 млн). Вероятно, в ближайшие месяцы (пока основные заказчики основательно не опустошат свои склады) мы еще не раз будем свидетелями снижения доходов обеих компаний.

Впрочем, повторимся, весь 2004 год прошел под знаменем роста доходов, капиталовложений и инвестиций в научные разработки, а потому технологических достижений было немало. Наиболее оптимальный способ совершенствования полупроводниковых технологий – уменьшение производственных норм – идет в прежнем темпе, и сегодня компании рапортуют не только о готовности перехода на нормы 0,65 нм, но и на более совершенные. Как всегда это направление возглавляет Intel, еще в августе заявившая о создании первой в мире полнофункциональной микросхемы памяти SRAM объемом 70 Мбит, изготовленной по 65-нм техпроцессу. Тем самым производитель продемонстрировал свою готовность к промышленному внедрению новейшего техпроцесса P1264 с нормами 65 нм и высокой степенью интеграции элементов на кристалле. Для того чтобы представить себе возможности данной технологии достаточно сказать, что кремниевый кристалл этой памяти площадью около 110 кв. мм содержит более полумиллиарда транзисторов.

Что касается самого процесса P1264, он характеризуется эффективной длиной затвора транзисторов 35 нм, использованием оксида кремния в качестве затворного диэлектрика, применением напряженного кремния, восьми слоев медных соединений и диэлектрика с низкой диэлектрической проницаемостью. При производственных процессах используется ультрафиолетовая литография с длиной волны 193 нм, маски со смещением фазы и оптическая коррекция создаваемого рисунка.


Содержание  Назад  Вперед