Справочник - Материнские платы и процессоры


Технологии и рынок


Сейчас на рынке микропроцессоров наблюдается интересная тенденция: с одной стороны производители стараются как можно быстрее внедрить новые техпроцессы и технологии в свои новинки, с другой — искусственно сдерживается рост частот процессоров. Во-первых, ощущается неполная готовность рынка к очередной смене семейств процессоров, а фирмы пока не получили достаточно прибыли от объема продаж производящихся сейчас CPU – запас еще не иссяк. Заметно превалирование значимости цены готового изделия над всеми остальными интересами компаний. Во-вторых, заметное снижение темпов «гонки частот» связано с необходимостью внедрения новых технологий, которые реально увеличивают производительность при минимальном объеме технологических затрат. Как уже было сказано, при переходе на новые техпроцессы производители столкнулись с серьезными проблемами.

Технологическая норма 90 нм оказалась достаточно высоким барьером для многих производителей чипов. Это подтверждает и компания TSMC, выпускающая чипы для AMD, nVidia, ATI, VIA. Долгое время ей не удавалось наладить изготовление чипов по технологии 0,09 мк, что привело к низкому выходу годных кристаллов. Это одна из причин, из-за которой AMD долгое время откладывала выпуск своих процессоров по технологии SOI. Суть в том, что именно на данной размерности элементов стали сильно проявляться всевозможные, ранее не столь ощутимые негативные факторы, — токи утечки, большой разброс параметров и экспоненциальное повышение тепловыделения. Но разберемся по порядку.

Как известно, существует два тока утечки: ток утечки затвора и подпороговая утечка. Первая вызвана самопроизвольным перемещением электронов между кремниевым субстратом канала и поликремниевым затвором. Вторая – самопроизвольным перемещением электронов из истока транзистора в сток. Оба эффекта приводят к необходимости поднимать напряжение питания для управления токами в транзисторе, что негативно сказывается на тепловыделении. Уменьшая размеры транзистора, мы прежде всего уменьшаем его затвор и слой диоксида кремния (SiO2), который является естественным барьером между затвором и каналом.


Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин