Справочник - Материнские платы и процессоры



             

Литография - скромный попутчик больших революций


Одним из способов увеличения стабильности работы чипа на более высоких частотах является переход к более низким проектным нормам. Сам по себе этот путь очень дорогой, и не только потому, что заключается в модернизации парка производственного оборудования, но и в виду сложных научных исследований, предшествующих ему. Не секрет, что, скажем, компания Intel тратит на развитие научной базы десятки миллионов долларов в год. Кроме, собственно, исследований полупроводниковых материалов и новых схеморешений ведутся разработки и в параллельных областях науки, например, в квантовой физике, так как если для фотолитографии при процессе 0,35 мк использовались ртутные лазеры с длиной волны 0,365 мк, то в технологии 0,25 мк принимали участие лазеры на основе ультрафиолета хлорида криптона с длиной волны 0,248 мк. Сегодня эти показатели еще больше приблизились к показателям рентгеновского излучения.

Для техпроцессов следующего за 90-нм технологией поколения - 65 нм, 45 нм и 32 нм - возникает необходимость использования более совершенного литографического оборудования. Дело в том, что применяемые в настоящее время литографические аппараты, при переходе к более тонким технологическим нормам, вряд ли смогут обеспечить необходимую "жесткость" излучения и должный уровень разрешающей способности при формировании проекции маски-шаблона. Длина волн 248 нм или 193 нм, которые применяются в сканерах и степперах для производства микросхем с уровнем детализации 90 нм, недостаточна для перехода к более тонким нормам. Поэтому изготовители литографического оборудования и их заказчики находятся в поиске рационального решения. Им приходится выбирать между весьма дорогостоящими инструментами нового поколения с длиной волны 157 нм и альтернативными методиками.

Само по себе внедрение 157-нм литографии сопряжено с рядом трудностей, в частности, с отсутствием методики синтеза качественного фторида кальция, из которого изготавливается литографическая оптика нового поколения, а также с проблемой фоторезистов, теряющих чувствительность в указанном спектре длин волн.


Содержание  Назад  Вперед