Справочник - Материнские платы и процессоры



             

45 Нм: все только начинается - часть 4


Кроме того, в официальных материалах Intel имеется утверждение, что еще ни одна компания-чипмейкер не приблизилась к аналогичному уровню развития технологий, и до внедрения техпроцесса 32 нм или даже позднее Intel не ожидает присутствия на рынке конкурентов, располагающих технологиями с применением high-k-диэлектриков и металлических затворов. В этой связи справедливо считать, что с промышленным вводом 45-нм техпроцесса компания приложит все усилия для получения максимальной прибыли от чипов, изготовленных на базе этой технологии — принцип «куй железо, пока горячо» проявит себя однозначно.

Упомянутый чип памяти SRAM, выполненный по нормам 45 нм, был создан год назад — в январе 2006-го, и имел следующие характеристики: емкость 153 Мбит, площадь чипа 119 мм2, количество транзисторов свыше 1 млрд (что в принципе несложно подсчитать, ведь одна ячейка памяти формируется при помощи шести транзисторов).

45-нм тестовый чип SRAM имеет емкость 153 Мбит и содержит свыше 1 млрд транзисторов на площади 119 мм2

Компания Intel также упомянула, что чип изготовлен на литографическом оборудовании с длиной волны 193 нм, и этот факт позволяет сделать некоторые выводы. Разумеется, речь идет о литографических установках глубокого ультрафиолета (Deep UltraViolet), которые никак не введут в строй, и сегодня предполагается, что это произойдет не ранее чем через два года. В свое время Intel имела серьезные проблемы с поставками фотолитографического оборудования и еще в период выпуска Pentium III с ядром Tualatin была вынуждена прибегнуть к некоему трюку, которым успешно пользуется и сейчас, — применить фазосдвигающие фотографические маски, кстати, весьма дорогие. Сегодня ситуация схожая: оборудование с длиной волны 193 нм имеется в наличии, и оно прекрасно подходит для производства устройств по нормам 90 нм, но является слишком грубым даже для 65 нм, не говоря уже о 45 нм. Благодаря имеющемуся опыту Intel дорабатывает фазосдвигающие фотомаски с учетом особенностей более тонкого технологического процесса и приступает к производству 45-нм устройств на базе старого фотолитографического оборудования с длиной волны 193 нм.


Содержание  Назад  Вперед