Справочник - Материнские платы и процессоры



             

45 Нм: все только начинается - часть 2


Процесс 65 нм имеет кодовое обозначение P1264. Нельзя сказать, что его своевременное внедрение далось инженерам Intel легко — переход на новые технологические нормы сопровождала масса трудностей. Во-первых, требовалось использовать технологию «напряженного кремния» (strained silicon) второго поколения, во-вторых — новые диэлектрики low-k и медные межтранзисторные соединения. Кроме того, техпроцесс 65 нм разрабатывался с помощью существующего литографического оборудования, которое применялось и при внедрении предыдущего техпроцесса, 90 нм. А для перехода на более тонкий процесс изготовления полупроводниковых элементов пришлось прибегнуть к технологии фазового сдвига фотографических масок.

На этом фоне два основных новшества, появившихся в технологии 45 нм, выглядят едва ли не революцией — речь идет не о простом «измельчении» линейных размеров, а о внедрении диэлектрика high-k и о применении металлического затвора. Что дает благодатную почву для рассуждений на тему, каковы выгоды от новшеств и не окажется ли столь глубокое вмешательство в конструкцию транзистора неоправданным?

Новый техпроцесс имеет обозначение P1266 — соблюдается четкая последовательность в наименованиях, в соответствии с которой технологический процесс 32 нм (2009 год) будет назван P1268, а 22 нм (2011-й) — P1270. Таким образом, как минимум до 2011 года нам гарантируют справедливость закона Мура.

По сравнению с нормой 65 нм 45-нм прибор обусловливает возможность разместить на одинаковой площади вдвое большее количество транзисторов — в силу естественного уменьшения линейных размеров. При этом имеется 30%-ное уменьшение рассеиваемой мощности при переключении с одновременным 20%-ным увеличением скорости переключения транзистора. Кроме того, в пять раз сокращается ток утечки от истока к стоку и в десять — ток утечки сквозь затвор транзистора. По заявлению специалистов Intel, таких показателей невозможно было бы достичь без комплексного применения изолятора high-k и металлического затвора.

Пожалуй, оба нововведения выглядят как одно из крупнейших достижений Intel в микроэлектронике, начиная с конца 1960-х годов, ведь все это время конструировались МОП-транзисторы с поликремниевым затвором.


Содержание  Назад  Вперед