РАСЧЕТ ЭЛЕМЕНТОВ ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ КОРРЕКЦИИ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

          

РАСЧЕТ ЭЛЕМЕНТОВ ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ КОРРЕКЦИИ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ


ВВЕДЕНИЕ

 

Расчет элементов высокочастотной коррекции является неотъемлемой частью процесса проектирования усилительных устройств, как одного из классов аналоговых электронных устройств. В известной учебной и научной литературе материал, посвященный этой проблеме, не всегда представлен в удобном для проектирования виде. К тому же в теории усилителей нет достаточно обоснованных доказательств преимущества использования того либо иного схемного решения при разработке конкретного усилительного устройства. В этой связи проектирование широкополосных усилителей во многом основано на интуиции и опыте разработчика. При этом, разные разработчики, чаще всего, по-разному решают поставленные перед ними задачи, достигая требуемых результатов. В этой связи в данном пособии собраны наиболее известные и эффективные схемные решения построения широкополосных усилительных устройств на биполярных транзисторах, а соотношения для расчета коэффициента усиления, полосы пропускания и значений элементов высокочастотной коррекции даны без выводов. Ссылки на литературу позволяют найти, при необходимости, доказательства справедливости приведенных соотношений. Поскольку, как правило, широкополосные усилители работают в стандартном 50 либо 75-омном тракте, соотношения для расчета даны исходя из условий, что оконечные каскады усилителей работают на чисто резистивную нагрузку, а входные каскады усилителей работают от чисто резистивного сопротивления генератора.


1. ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ ДЛЯ РАСЧЕТА

 




В соответствии с [1, 2, 3], приведенные ниже соотношения для расчета усилительных каскадов основаны на использовании эквивалентной схемы замещения транзистора, приведенной на рис. 1.1, либо на использовании его однонаправленной модели, приведенной на рис. 1.2.

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Рис. 1.1. Эквивалентная схема Джиаколетто

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Рис. 1.2. Однонаправленная модель

Значения элементов схемы Джиаколетто могут быть рассчитаны по паспортным данным транзистора по следующим формулам [1]:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
- емкость коллекторного перехода;

         
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - постоянная времени цепи обратной связи;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - ток эмиттера в рабочей точке в миллиамперах;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=3 - для планарных кремниевых транзисторов;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=4 - для остальных транзисторов.

В справочной литературе значения
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 часто приводятся измеренными при различных значениях напряжения коллектор-эмиттер
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
. Поэтому при расчетах
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 значение
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 следует пересчитать по формуле [1]

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
- напряжение
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, при котором производилось измерение
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - напряжение
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, при котором производилось измерение
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

Поскольку
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 оказываются много меньше проводимости нагрузки усилительных каскадов, в расчетах они обычно не учитываются.

Значения элементов схемы замещения, приведенной на рис. 1.2, могут быть рассчитаны по следующим формулам [3, 4]:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - индуктивности выводов базы и эмиттера;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер;



Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                         (2.4)

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


                            а)                                                               б)

Рис. 2.1 При заданном уровне частотных искажений
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, верхняя граничная частота
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 полосы пропускания каскада равна:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.                                             (2.5)

Входное сопротивление каскада может быть аппроксимировано параллельной RC цепью [1]:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                  (2.6)

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.                                   (2.7)

Пример 2.1. Рассчитать
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 каскада, приведенного на рис. 2.1, при использовании транзистора КТ610А [6](
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 5 Ом,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 1 Ом,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,0083 Сим,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 4 пФ,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=160 пФ,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 1 ГГц,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=120,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=0,95 А/В,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,99,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 55 мА), и условий:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 50 Ом;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,9;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 10.

Решение. При известных
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, в соответствии с (2.1), имеем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 10,5 Ом. Зная
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, находим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 13,3 Ом. По формуле (2.2) определим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 1,03×10-9с. Подставляя известные
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 в соотношение (2.5) получим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 74,9 МГц. По формулам (2.6) и (2.7) определим
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 196 пФ,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 126 Ом.

2.2. ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ КАСКАД

Принципиальная схема каскада приведена на рис. 2.2,а, эквивалентная схема по переменному току - на рис. 2.2,б.

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


                                      а)                                                               б)

Рис. 2.2 В соответствии с [1] коэффициент усиления каскада в области верхних частот описывается выражением:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                                       (2.8)



Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                   (2.9)

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                    (2.10)

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 – входное сопротивление и входная емкость нагружающего каскада.

Значения
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, входное сопротивление и входная емкость каскада рассчитываются по формулам (2.5), (2.6), (2.7).

Пример 2.2. Рассчитать
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 каскада, приведенного на рис. 2.2, при использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 2.1) и условий:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,9;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 10;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 нагружающего каскада - из примера 2.1.

Решение. По известным
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из (2.8) получим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 10.5 Ом. Зная
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из (2.10) найдем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 11,5 Ом. По формуле (2.9) определим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 3×10-9 с. Подставляя известные
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 в соотношение (2.5) получим
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 25,5 МГц. По формулам (2.6) и (2.7) определим
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 126 Ом,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 196 пФ.

3. РАСЧЕТ КАСКАДА С ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ИНДУКТИВНОЙ КОРРЕКЦИЕЙ

3.1. ОКОНЕЧНЫЙ КАСКАД

Принципиальная схема каскада с высокочастотной индуктивной коррекцией приведена на рис. 3.1,а, эквивалентная схема по переменному току - на рис. 3.1,б.

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


                                      а)                                                      б)

Рис. 3.1 При отсутствии реактивности нагрузки высокочастотная индуктивная коррекция вводится для коррекции искажений АЧХ вносимых транзистором. Корректирующий эффект в схеме достигается за счет возрастания сопротивления коллекторной цепи с ростом частоты усиливаемого сигнала и компенсации, благодаря этому, шунтирующего действия выходной емкости транзистора.

В соответствии с [1] коэффициент усиления каскада в области верхних частот, при оптимальном значении
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
равном:



Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,                                                         (3.1)

описывается выражением:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                                       (3.2)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                      (3.3)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                               (3.4)

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                      (3.5)

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
рассчитываются по (2.3) и (2.4).

При заданном значении
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 каскада равна:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.                                                  (3.6)

Значения
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 каскада рассчитываются по формулам (2.6), (2.7).

Пример 3.1. Рассчитать
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 каскада с ВЧ индуктивной коррекцией, схема которого приведена на рисунке 3.1, при использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 2.1) и условий
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 50 Ом;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,9;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 10.

Решение. По известным
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из (3.2) получим
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 10,5 Ом. Зная
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из (3.3) найдем
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 13,3 Ом. Рассчитывая
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 по (3.5) и подставляя в (3.1) получим
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 13,7×10-9 Гн. Определяя tк по (3.4) и подставляя в (3.6) определим
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 350 МГц. По формулам (2.6), (2.7) найдем
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 196 пФ,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 126 Ом.

3.2. ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ КАСКАД

Принципиальная схема промежуточного каскада с высокочастотной индуктивной коррекцией приведена на рис. 3.2,а, эквивалентная схема по переменному току - на рис. 3.2,б.

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


                                      а)                                                               б)

Рис. 3.2 В соответствии с [1] коэффициент усиления каскада в области верхних частот, при оптимальном значении
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 равном:



Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,                                                         (3.7)

определяется выражением:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                                       (3.8)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                       (3.9)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                            (3.10)

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                 (3.11)

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 – входное сопротивление и емкость нагружающего каскада;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 рассчитываются по (2.3) и (2.4).

Значения
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 каскада рассчитываются по формулам (3.6), (2.6), (2.7).

Пример 3.2. Рассчитать
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 каскада с ВЧ индуктивной коррекцией, схема которого приведена на рис. 3.2, при использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 2.1) и условий:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,9;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 10;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 нагружающего каскада - из примера 2.1.

Решение. По известным
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из (3.8) получим
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 10,5 Ом. Зная
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из (3.9) найдем
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 11,5 Ом. Рассчитывая
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 по (3.11) и подставляя в (3.7) получим
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 34,7×10-9 Гн. Определяя
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 по (3.10) и подставляя в (3.6) определим
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 308 МГц. По формулам (2.6), (2.7) найдем
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 196 пФ,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 126 Ом.

4. РАСЧЕТ КАСКАДА С ЭМИТТЕРНОЙ КОРРЕКЦИЕЙ  

4.1. ОКОНЕЧНЫЙ КАСКАД

Принципиальная схема каскада с эмиттерной коррекцией приведена на рис. 4.1,а, эквивалентная схема по переменному току - на рисунке 4.1,б, где
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - элементы коррекции. При отсутствии реактивности нагрузки эмиттерная коррекция вводится для коррекции искажений АЧХ вносимых транзистором, увеличивая амплитуду сигнала на переходе база-эмиттер с ростом частоты усиливаемого сигнала.



Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


                            а)                                                      б)

Рис. 4.1

В соответствии с [1], коэффициент передачи каскада в области верхних частот, при выборе элементов коррекции
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 соответствующими оптимальной по Брауде форме АЧХ, описывается выражением:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,                                    (4.1)

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - нормированная частота;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                                             (4.2)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                      (4.3)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - глубина ООС;                                                                  (4.4)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                                    (4.5)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                                     (4.6)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.                                                                      (4.7)

При заданном значении
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, значение
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 определяется выражением:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.                                    (4.8)

Подставляя известные
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 в (4.1) найдем:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,                    (4.9)

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

Входное сопротивление каскада с эмиттерной коррекцией может быть аппроксимировано параллельной RC-цепью [1]:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                           (4.10)

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.                               (4.11)

Пример 4.1. Рассчитать
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 каскада с эмиттерной коррекцией, схема которого приведена на рисунке 4.1, при использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 2.1) и условий:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,9;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 10;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 100 Ом.



Решение. По известным
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из (4.2), (4.3) получим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 4,75. Подставляя
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 в (4.4) и (4.8) найдем
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 4 Ом;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 1,03. Рассчитывая
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 по (4.7) и подставляя в (4.5), (4.6) получим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 50,5 пФ. По известным
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из (4.9) определим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 407 МГц. По формулам (4.10), (4.11) найдем
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 71 пФ,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 600 Ом.

4.2. ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ КАСКАД

Принципиальная схема промежуточного каскада с эмиттерной коррекцией приведена на рис. 4.2,а, эквивалентная схема по переменному току - на рис. 4.2,б.

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


                                     а)                                                      б)

Рис. 4.2

В соответствии с [1], коэффициент передачи каскада в области верхних частот, при выборе элементов коррекции
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 соответствующими оптимальной по Брауде форме АЧХ, описывается выражением:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,                                    (4.12)

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - нормированная частота;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                                           (4.13)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                     (4.14)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - глубина ООС;                                                                (4.15)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                                  (4.16)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                                   (4.17)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                 (4.18)

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                          (4.19)



Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 – входное сопротивление и емкость нагружающего каскада;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 рассчитываются по (2.3) и (2.4).

При заданном значении
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, значение
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 определяется выражением:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,                 (4.20)

Подставляя известные
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 в (4.12) найдем:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,                    (4.21)

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

Входное сопротивление и входная емкость каскада рассчитываются по соотношениям (4.10) и (4.11).

Пример 4.2. Рассчитать
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 промежуточного каскада с эмиттерной коррекцией, схема которого приведена на рис. 4.2, при использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 2.1) и условий:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,9;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=10;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 нагружающего каскада - из примера 4.1;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

Решение. По известным
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из (4.13) получим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 28,5. Подставляя
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 в (4.15) найдем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 29 Ом. Рассчитывая по формуле (4.19) значение n и подставляя его в (4.20) определим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,76. Зная
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, по (4.16) и (4.17) рассчитаем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 201 пФ. По известным
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из (4.21) найдем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 284 МГц. По формулам (4.10), (4.11) определим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 44 пФ;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=3590 Ом.

5. КОРРЕКЦИЯ ИСКАЖЕНИЙ ВНОСИМЫХ ВХОДНОЙ ЦЕПЬЮ 5.1. РАСЧЕТ ИСКАЖЕНИЙ ВНОСИМЫХ ВХОДНОЙ ЦЕПЬЮ

Принципиальная схема входной цепи каскада приведена на рис. 5.1,а, эквивалентная схема по переменному току - на рис. 5.1,б.

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


                                      а)                                                               б)

Рис. 5.1

При условии аппроксимации входного сопротивления каскада параллельной RC-цепью, коэффициент передачи входной цепи в области верхних частот описывается выражением [1]:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                           (5.1)



        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                                       (5.2)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 –
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
входное сопротивление и входная емкость каскада.

Значение
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
  входной цепи рассчитывается по формуле (2.5), где вместо
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 подставляется величина
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

Пример 5.1. Рассчитать
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 входной цепи, схема которой приведена на рис. 5.1, при использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 2.1) и условий:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 50 Ом и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,9.

Решение. Из примера 2.1 имеем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 126 Ом,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 196 пФ. Зная
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из (5.1) получим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,716. По (5.2) найдем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 7×10-9 с. Подставляя известные
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 в (2.5) определим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 11 МГц.

5.2. РАСЧЕТ ВХОДНОЙ КОРРЕКТИРУЮЩЕЙ ЦЕПИ

Из приведенных выше примеров расчета видно, что наибольшие искажения АЧХ обусловлены входной цепью. Для расширения полосы пропускания входных цепей в [7] предложено использовать схему, приведенную на рис. 5.2.

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


                                      а)                                                               б)

Рис. 5.2

Работа схемы основана на увеличении сопротивления цепи
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 с ростом частоты усиливаемого сигнала и компенсации, благодаря этому, шунтирующего действия входной емкости каскада. Коэффициент передачи входной цепи в области верхних частот можно описать выражением [1]:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                                              (5.3)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
                                                                                           (5.4)



        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                                                        (6.18)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
- нормированные относительно
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 значения элементов
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

При заданных значениях
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, соответствующих требуемой форме АЧХ каскада, нормированные значения
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 рассчитываются по формулам [12]:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
                             (6.19)

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

В теории фильтров известны табулированные значения коэффициентов
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, соответствующие заданной неравномерности АЧХ цепи описываемой функцией вида (6.17) [13], которые приведены в таблице 7.2.

Таблица 7.2 – Коэффициенты передаточной функции фильтра Чебышева
Неравномерность АЧХ, дБ
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


0,1

1,605

1,184

0,611

0,2

1,805

1,415

0,868

0,3

1,940

1,56

1,069

0,4

2,05

1,67

1,24

0,5

2,14

1,75

1,40

0,6

2,23

1,82

1,54

0,7

2,31

1,88

1,67

0,8

2,38

1,93

1,80

0,9

2,45

1,97

1,92

1,0

2,52

2,012

2,035

1,2

2,65

2,08

2,26

1,4

2,77

2,13

2,46

1,6

2,89

2,18

2,67

1,8

3,01

2,22

2,87

2,0

3,13

2,26

3,06

Для выравнивания АЧХ в области частот ниже
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 используется резистор
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, рассчитываемый по формуле [11]:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.                                                   (6.20)

При работе каскада в качестве входного, в формуле (6.19) значение
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 принимается равным нулю.

После расчета
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, истинные значения элементов находятся из соотношений:



Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
                                          (6.21)

Пример 7.2. Рассчитать
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 каскада и значения элементов
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 межкаскадной КЦ (рис. 7.3), при использовании транзисторов КТ610А (
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 3 нГн,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 5 Ом,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 4 пФ,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 86 Ом,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 1 ГГц) и условий
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 50 Ом,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 0,9,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 260 МГц.

Решение. По таблице 7.2 для
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,9, что соответствует неравномерности АЧХ 1 дБ, определим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 2,52;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 2,012;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 2,035. Находя нормированные значения
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,56,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,055,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,058 и подставляя в (6.19), получим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 1,8;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,757;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,676. Рассчитывая
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и подставляя в (6.18) найдем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 3,2, а из (6.20) определим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 3, 75 кОм. После денормирования элементов по (6.21) получим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 12,8 пФ;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 5,4 пФ;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 35,6 нГн.

7.3. РАСЧЕТ КАСКАДА С ЗАДАННЫМ НАКЛОНОМ АЧХ

Проблема разработки широкополосных усилительных каскадов с заданным наклоном АЧХ связана с необходимостью компенсации наклона АЧХ источников усиливаемых сигналов; устранения частотно-зависимых потерь в кабельных системах связи; выравнивания АЧХ малошумящих усилителей, входные каскады которых реализуются без применения цепей высокочастотной коррекции. На рис. 7.5,а приведена принципиальная схема усилителя с реактивной межкаскадной КЦ четвертого порядка, позволяющей реализовать заданный наклон АЧХ усилительного каскада, эквивалентная схема по переменному току приведена на рис. 7.5,б [14].

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
                     а)                                                               б)

Рис. 7.5 Используя однонаправленную эквивалентную схему замещения транзистора, схему (рис. 7.5) можно представить в виде, приведенном на рис. 7.6.



Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Рис. 7.6

Вводя идеальный трансформатор после конденсатора
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, с последующим применением преобразования Нортона [3], перейдем к схеме представленной на рис. 7.7.

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Рис. 7.7 В соответствии с [2, 11], коэффициент передачи последовательного соединения межкаскадной КЦ и транзистора
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, при условии использования выходной КЦ, равен:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
              (7.9)

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - нормированная частота

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;                                         (7.10)

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


                  
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

        
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - нормированные относительно
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 значения элементов
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

Таблица 7.3 - Нормированные значения элементов КЦ для
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=0,25 дБ

Наклон
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


+4 дБ

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.3

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.121

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
5.736

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.981

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.564

0.027

0.0267

0.0257

0.024

0.02

0.013

0.008

0,0

1.058

1.09

1.135

1.178

1.246

1.33

1.379

1.448

2.117

2.179

2.269

2.356

2.491

2.66

2.758

2.895

3.525

3.485

3.435

3.395

3.347

3.306

3.29

3.277

6.836

6.283

5.597

5.069

4.419

3.814

3.533

3.205

0.144

0.156

0.174

0.191

0.217

0.248

0.264

0.287

+2 дБ

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.576

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
6.385

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
4.643

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.898

0.0361

0.0357

0.0345

0.0325

0.029

0.024

0.015

0.0

1.59

1.638

1.696

1.753

1.824

1.902

2.014

2.166

3.18

3.276

3.391

3.506

3.648

3.804

4.029

4.332

3.301

3.278

3.254

3.237

3.222

3.213

3.212

3.227

5.598

5.107

4.607

4.204

3.797

3.437

3.031

2.622

0.172

0.187

0.207

0.225

0.247

0.269

0.3

0.337

+0 дБ

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.15

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
4.02

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
7.07

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
5.34

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
4.182

0.0493

0.049

0.047

0.045

0.04

0.03

0.017

0.0

2.425

2.482

2.595

2.661

2.781

2.958

3.141

3.346

4.851

4.964

5.19

5.322

5.563

5.916

6.282

6.692

3.137

3.13

3.122

3.121

3.125

3.143

3.175

3.221

4.597

4.287

3.753

3.504

3.134

2.726

2.412

2.144

0.205

0.219

0.247

0.263

0.29

0.327

0.36

0.393

-3 дБ

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
4.685

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
8.341

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
6.653

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
4.749

0.0777

0.077

0.075

0.07

0.06

0.043

0.02

0.0

4.668

4.816

4.976

5.208

5.526

5.937

6.402

6.769

9.336

9.633

9.951

10.417

11.052

11.874

12.804

13.538

3.062

3.068

3.079

3.102

3.143

3.21

3.299

3.377

3.581

3.276

2.998

2.68

2.355

2.051

1.803

1.653

0.263

0.285

0.309

0.34

0.379

0.421

0.462

0.488

-6 дБ

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.3

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
5.296

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
9.712

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
8.365

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
5.282

0.132

0.131

0.127

0.12

0.1

0.08

0.04

0.0

16.479

17.123

17.887

18.704

20.334

21.642

23.943

26.093

32.959

34.247

35.774

37.408

40.668

43.284

47.885

52.187

2.832

2.857

2.896

2.944

3.049

3.143

3.321

3.499

2.771

2.541

2.294

2.088

1.789

1.617

1.398

1.253

0.357

0.385

0.42

0.453

0.508

0.544

0.592

0.625




Таблица 7.4 - Нормированные значения элементов КЦ для
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=0,5 дБ

Наклон
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


+6 дБ

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
5.4

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
2.725

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
5.941

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.731

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
4.3

0.012

0.0119

0.0115

0.011

0.0095

0.0077

0.005

0.0

0.42

0.436

0.461

0.48

0.516

0.546

0.581

0.632

0.839

0.871

0.923

0.959

1.031

1.092

1.163

1.265

6.449

6.278

6.033

5.879

5.618

5.432

5.249

5.033

12.509

11.607

10.365

9.624

8.422

7.602

6.814

5.911

0.09

0.097

0.109

0.117

0.134

0.147

0.164

0.187

+3 дБ

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
4.9

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
3.404

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
7.013

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
4.805

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
5.077

0.0192

0.019

0.0185

0.017

0.015

0.012

0.007

0.0

0.701

0.729

0.759

0.807

0.849

0.896

0.959

1.029

1.403

1.458

1.518

1.613

1.697

1.793

1.917

2.058

5.576

5.455

5.336

5.173

5.052

4.937

4.816

4.711

8.98

8.25

7.551

6.652

6.021

5.433

4.817

4.268

0.123

0.134

0.146

0.165

0.182

0.2

0.224

0.249

0 дБ

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
4.9

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
4.082

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
8.311

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
6.071

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
6.0

0.0291

0.0288

0.028

0.0265

0.024

0.019

0.01

0.0

1.012

1.053

1.096

1.145

1.203

1.288

1.404

1.509

2.024

2.106

2.192

2.29

2.406

2.576

2.808

3.018

5.405

5.306

5.217

5.129

5.042

4.94

4.843

4.787

6.881

6.296

5.79

5.303

4.828

4.271

3.697

3.301

0.16

0.175

0.19

0.207

0.226

0.253

0.287

0.316

-3 дБ

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
5.2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
4.745

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
9.856

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
7.632

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
7.13

0.0433

0.043

0.0415

0.039

0.035

0.027

0.015

0.0

1.266

1.318

1.4

1.477

1.565

1.698

1.854

2.019

2.532

2.636

2.799

2.953

3.13

3.395

3.708

4.038

5.618

5.531

5.417

5.331

5.253

5.172

5.117

5.095

5.662

5.234

4.681

4.263

3.874

3.414

3.003

2.673

0.201

0.217

0.241

0.263

0.287

0.321

0.357

0.391

-6 дБ

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
5.7

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
2

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
5.345

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
11.71

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
9.702

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
8.809

0.0603

0.06

0.058

0.054

0.048

0.04

0.02

0.0

1.285

1.342

1.449

1.564

1.686

1.814

2.068

2.283

2.569

2.684

2.899

3.129

3.371

3.627

4.136

4.567

6.291

6.188

6.031

5.906

5.812

5.744

5.683

5.686

5.036

4.701

4.188

3.759

3.399

3.093

2.634

2.35

0.247

0.264

0.295

0.325

0.355

0.385

0.436

0.474




В таблицах 7.3 и 7.4 приведены значения элементов
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, вычисленные для случая реализации усилительного каскада с различным наклоном АЧХ, лежащим в пределах + 6 дБ, при допустимом уклонении АЧХ от требуемой формы
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 равном 0,25 дБ и 0,5 дБ, и для различных значений
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

Таблицы получены с помощью методики проектирования согласующе-выравнивающих цепей транзисторных усилителей, предполагающей составление и решение систем компонентных уравнений [5], и методики синтеза прототипа передаточной характеристики, обеспечивающего максимальный коэффициент усиления каскада при заданной допустимой неравномерности АЧХ в заданной полосе частот [13].

Для перехода от схемы на рис. 7.7 к схеме на рис. 7.6 следует воспользоваться формулами пересчета:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
                                 (7.11)

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - нормированные относительно
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 значения элементов
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

Табличные значения элементов
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, в этом случае, выбираются для значения
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 равного:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
                                       (7.12)

где   
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
- коэффициент, значение которого приведено в таблицах.

Пример 7.3. Рассчитать
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 каскада и значения элементов
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 межкаскадной КЦ (рис. 7.5), если в качестве
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 используются транзисторы КТ610А (
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 3 нГн,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 5 Ом,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 4 пФ,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 86 Ом,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 1 ГГц), требуемый подъем АЧХ каскада на транзисторе
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 равен 3 дБ,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 50 Ом,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 0,9,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 260 МГц.

Решение. Нормированные значения элементов
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 равны:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 =
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 0,56;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 =
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
/
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,058;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 =
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
/
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,057. Значение
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 0,9 соответствует неравномерности АЧХ 1 дБ. По таблице 7.4 найдем, что для подъема АЧХ равного 3 дБ коэффициент
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 4,9.


По (7.12) определим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 0,05. Ближайшее табличное значение
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 равно 0,07. Для этого значения
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из таблицы имеем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 0,959;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 1,917;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 4,816;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 4,817;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 0,224. Теперь по (7.11) и (7.10) получим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 1,13;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 0,959;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 1,917;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 4,256;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 3,282;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 0,229;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 4,05. После денормирования элементов найдем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 =
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 82,5 Ом;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 =
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
/
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 100 нГн;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 =
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
/
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 30,3 пФ;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 23,4 пФ;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 12 нГн.

8. РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛей С ЧАСТОТНЫМ РАЗДЕЛЕНИЕМ КАНАЛОВ

При разработке усилителей с рабочими частотами от нуля либо единиц герц до единиц гигагерц возникает проблема совмещения схемных решений построения низкочастотных и сверхвысокочастотных усилителей. Например, использование больших значений разделительных конденсаторов и дросселей питания для уменьшения нижней граничной частоты, связано с появлением некорректируемых паразитных резонансов в области сверхвысоких частот. Этого недостатка можно избежать, используя частотно-разделительные цепи (ЧРЦ). Наибольший интерес представляет схема усилителя с ЧРЦ, предназначенного для усиления как периодических, так и импульсных сигналов [15,16,17]. Схема усилителя с ЧРЦ приведена на рис. 8.1, где УВЧ – усилитель верхних частот, УНЧ – усилитель нижних частот.

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах


Рис. 8.1

Принцип работы схемы заключается в следующем. Усилитель с ЧРЦ состоит из двух канальных усилителей. Первый канальный усилитель УВЧ является высокочастотным и строится с использованием схемных решений построения усилителей сверхвысоких частот. Второй канальный усилитель УНЧ является низкочастотным и строится с использованием достоинств схемных решений построения усилителей постоянного тока либо усилителей низкой частоты.


При условии согласованных входов и выходов канальных усилителей, выборе значения резистора
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 равным
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, а
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 много больше значения
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, усилитель с ЧРЦ оказывается согласованным по входу и выходу. Каждый из канальных усилителей усиливает соответствующую часть спектра входного сигнала. Выходная ЧРЦ осуществляет суммирование усиленных спектров в нагрузке.

Если обозначить нижнюю и верхнюю граничные частоты УВЧ как
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, а нижнюю и верхнюю граничные частоты УНЧ как
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, то дополнительным необходимым условием построения усилителя с ЧРЦ является требование:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
³10
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.                                            (8.1)

В этом случае полоса пропускания разрабатываемого усилителя с ЧРЦ будет охватывать область частот от
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 до
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
.

С учетом вышесказанного расчет значений элементов ЧРЦ усилителя сводится к следующему.

Значения резисторов
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 и
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 выбираются из условий:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
                                                (8.2)

По заданному коэффициенту усиления УВЧ
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 определяется необходимый коэффициент усиления УНЧ
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 из соотношения:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,                           (8.3)

где
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 - входное сопротивление УНЧ.

Значения элементов ЧРЦ рассчитываются по формулам [15]:

Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
                                (8.4)

Пример 8.1. Рассчитать значения элементов
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
, коэффициент усиления УНЧ и его
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 для усилителя с ЧРЦ, схема которого приведена на рис. 8.1, при условиях:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 10;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 1 МГц;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 =
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 =
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 50 Ом.

Решение. В соответствии с формулами (8.1) и (8.2) выбираем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
 = 10 МГц,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=50 Ом,
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=500 Ом. Теперь по (8.3) найдем:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=110, а по (8.4) определим:
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 3,2 нФ;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 8 мкГн;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
= 320 пФ;
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
=800 нГн.



Список использованных источников

 

1. Мамонкин И.Г. Усилительные устройства. Учебное пособие для вузов. - М.: Связь. 1977.

2. Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ. - М.: Сов. радио, 1980.

3. Широкополосные радиопередающие устройства / Алексеев О.В., Головков А.А., Полевой В.В., Соловьев А.А.; Под ред. О.В. Алексеева. - М.: Связь, 1978.

4. Титов А.А., Бабак Л.И., Черкашин М.В. Расчет межкаскадной согласующей цепи транзисторного полосового усилителя мощности // Электронная техника. Сер. СВЧ-техника. – 2000. - Вып. 1.

5. Бабак Л.И., Шевцов А.Н., Юсупов Р.Р. Пакет программ автоматизированного расчета транзисторных широкополосных  и импульсных УВЧ - и СВЧ усилителей // Электронная техника. Сер. СВЧ – техника. – 1993. – Вып. 3.

6. Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги: Справочник. В 4 томах. – М.: КУбК-а, 1997.

7. Никифоров В.В., Терентьев С.Ю. Синтез цепей коррекции широкополосных усилителей мощности с применением методов нелинейного программирования // Сб. «Полупроводниковая электроника в технике связи». /Под ред. И.Ф. Николаевского. - М.: Радио и связь, 1986. – Вып. 26.

8. Титов А.А. Упрощенный расчет широкополосного усилителя. // Радиотехника. - 1979. - № 6.

9. Мелихов С.В., Колесов И.А. Влияние нагружающих обратных связей на уровень выходного сигнала усилительных каскадов // Сб. «Широкополосные усилители». - Томск: Изд-во Том. ун-та, 1975. – Вып. 4.

10. Бабак Л.И. Анализ широкополосного усилителя по схеме со сложением напряжений // Сб.


«Наносекундные и субнаносекундные усилители» / Под ред. И.А. Суслова. - Томск: Изд-во Том. ун-та, 1976.

11. Бабак Л.И., Дергунов С.А. Расчет цепей коррекции сверхширокополосных транзисторных усилителей мощности СВЧ // Сб. «Радиотехнические методы и средства измерений» - Томск: Изд-во Том. ун-та, 1985.

12. Титов А.А. Расчет межкаскадной корректирующей цепи многооктавного транзисторного усилителя мощности. // Радиотехника. – 1987. - №1.

13. Титов А.А. Расчет диссипативной межкаскадной корректирующей цепи широкополосного усилителя мощности // Радиотехника. - 1989. - №2.

14. Альбац М.Е. Справочник по расчету фильтров и линий задержки. – М.: Госэнергоиздат, 1963.

15. Ильюшенко В.Н., Титов А.А. Многоканальные импульсные устройства с частотным разделением каналов. // Радиотехника. - 1991. - № 1.

16. Пикосекундная импульсная техника. /В.Н. Ильюшенко, Б.И. Авдоченко, В.Ю. Баранов и др. / Под ред. В.Н. Ильюшенко.- М.: Энергоатомиздат, 1993.

17. Авторское свидетельство № 1653128 СССР, МКИ НОЗF 1/42. Широкополосный усилитель / В.Н. Ильюшенко, А.А. Титов // Открытия, Изобретения. – 1991 - №20.